CVD装置
本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質(気体、液体、固体)としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる(励起状態にする)手法として、熱、プラズマ、光(レーザー、紫外線など)があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。 (7.1.4)
東京大学 、東京工業大学、(独)物質・材料研究機構
(独)産業技術総合研究所 ( http://unit.aist.go.jp/nano-ele/emerg-mat/ )
…他
※御客様の仕様に合わせた設計製作を承っておりますので、弊社までお問い合わせください。
本装置は、タングステンフィラメントを使用したホットワイヤー型CVD装置で、プラズマ損傷の無い大面積と高純度薄膜成形の特徴を持っており、P・N型半導体ダイヤモンド合成や結晶シリコン太陽電池など電子デバイスの分野で多く使用されています。本装置は分割式のチャンバー構造により、容易にメンテナンスやハード条件だしの変更が可能で、ライン構成の操作盤によりガスラインを含め操作部が前面に集約されている事で操作性良く出来ています。
到達真空度 |
≦1.0E-5Pa |
試料サイズ |
100mm |
ホットワイヤー |
φ0.6タングステン |
ヒーター電源 |
AC/DC35kW |
基板加熱温度 |
Max800℃ |
TCモニター |
6点 |
ガスライン |
混合2系統 |
- φ600高真空水冷チャンバー
- TMP&RP排気ユニット
- チャンバー昇降機構
- ガス混合パネル(IN4系 OUT2系)
- バブラー恒温層
※御客様の仕様に合わせた設計製作を承っておりますので、弊社までお問い合わせください。
|